特許

J-GLOBAL ID：200903065809070697

半導体電極の製造方法及び光化学電池

発明者： 中林 正仁 ,  中田 安一
出願人/特許権者： リンテック株式会社
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-376939
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184475
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 光化学電池用の半導体電極の基板材料としてガラスだけでなく任意の光透過性基板を用いることができ、かつ実用性のある電流/電圧曲線を与える半導体電極の製造方法、及び前記半導体電極を用いた光化学電池を提供する。【解決手段】 耐熱性基板上に酸化物半導体及び/又はその前駆体を含む層を形成させ、これを加熱焼成して得られる酸化物半導体膜を、被転写基板上に転写することを特徴とする半導体電極の製造方法。

請求項（抜粋）：

耐熱性基板上に酸化物半導体及び/又はその前駆体を含む層を形成させ、これを加熱焼成して得られる酸化物半導体膜を、被転写基板上に転写することを特徴とする半導体電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01M 14/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 21/28 Z ,  H01L 31/04 Z

Fターム (17件)：

4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD99 ,  4M104GG05 ,  5F051AA12 ,  5F051AA14 ,  5F051BA15 ,  5F051BA18 ,  5F051CB11 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032EE17 ,  5H032HH05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電変換材料用半導体、その製造方法及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-263949   出願人：シャープ株式会社
• 色素増感型太陽電池、その製造方法およびこれを用いた携帯用機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-159178   出願人：株式会社東芝