特許

J-GLOBAL ID：200903065809866416

セラミックス放熱回路基板

発明者： 平尾 則好 ,  安藤 節夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350294
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152141
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 回路基板と放熱部材とを半田で接合する際に生じる半田流れ、半田ボイドを防止し半田濡れ性を改善する。【解決手段】 一方に半導体チップを搭載するCu又はAlの回路板3を、他方にCu又はAlの板4をそれぞれ接合したセラミックス絶縁基板2と、表面にAl皮膜60を有するAl-SiC複合体の放熱部材6とからなり、前記放熱部材6のAl皮膜上に接合層64を形成し、この接合層64と前記セラミックス絶縁基板のCu又はAl板4とを半田7により接合してなるセラミックス放熱回路基板において、前記接合層64をNiを主体とする層とすると共に、その表面65の中心線平均面粗さ(Ra)を0.2〜1.5μmとし、厚さは3〜15μmとしたセラミックス放熱回路基板である。

請求項（抜粋）：

一方に半導体チップを搭載するCu又はAlの回路板を、他方にCu又はAlの板をそれぞれ接合したセラミックス絶縁基板と、表面にAl皮膜を有するAl-SiC複合体の放熱部材とからなり、前記放熱部材のAl皮膜上に接合層を形成し、当該接合層と前記セラミックス絶縁基板のCu又はAl板とを半田により接合してなるセラミックス放熱回路基板において、前記接合層をNiを主体とする層とすると共に、その表面の中心線平均面粗さ(Ra)を0.2〜1.5μmとしたことを特徴とするセラミックス放熱回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/02

FI (3件)：

C04B 37/02 B ,  H05K 1/02 F ,  H01L 23/36 C

Fターム (27件)：

4G026BA03 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB14 ,  4G026BB27 ,  4G026BB31 ,  4G026BC01 ,  4G026BC02 ,  4G026BD02 ,  4G026BD06 ,  4G026BD12 ,  4G026BD14 ,  4G026BF11 ,  4G026BF18 ,  4G026BF42 ,  4G026BF46 ,  4G026BG02 ,  4G026BG28 ,  4G026BH07 ,  5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338BB63 ,  5E338EE02 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB08