撮像デバイス及びその動作方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242356
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057314
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】セレンを主体とする非晶質半導体層におけるアバランシェ増倍現象を用いて感度を高める撮像デバイスにおいて、カラーカメラに好適な分光感度特性と更なる高効率の光電変換特性とを実現する。【解決手段】撮像デバイスの光電変換部を、少なくとも、導電性薄膜からなる透光性電極と、正孔注入阻止層と、セレン系非晶質半導体からなる正孔注入阻止補助層と、13〜20重量%のテルルを含有する膜厚0.01〜0.2μmのセレン系非晶質半導体からなる光キャリア発生層と、光電変換された光キャリアを増倍するためのセレン系非晶質半導体からなるキャリア増倍層とで構成する。

請求項（抜粋）：

導電性薄膜からなる透光性電極と、この透光性電極の表面上に形成された正孔注入阻止層と、この正孔注入阻止層の表面上に形成されたセレン系非晶質半導体からなる正孔注入阻止補助層と、この正孔注入阻止補助層の表面上に形成された入射する可視光の大部分を吸収して電荷に変換するためのセレン・テルル系非晶質半導体からなる光キャリア発生層と、この光キャリア発生層の表面上に形成され、発生した光キャリアをアバランシェ増倍するためのセレン系非晶質半導体からなるキャリア増倍層と、を含み、増倍されたキャリアを信号電荷として蓄積する機能を有する電荷注入阻止型の光電変換部と、蓄積された信号電荷を読み取るための手段と、を具える撮像デバイスにおいて、前記光キャリア発生層のテルル濃度が13重量%以上20重量%以下で膜厚が0.1μm以上0.2μm以下であることを特徴とする撮像デバイス。

IPC (5件)：

H01L 27/146 , H01J 29/45 , H01J 31/38 , H01L 31/107 , H04N 5/335

FI (6件)：

H01J 29/45 B , H01J 31/38 B , H04N 5/335 U , H04N 5/335 Z , H01L 27/14 F , H01L 31/10 B

Fターム (30件)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118BA19 , 4M118CA15 , 4M118CB05 , 4M118DD01 , 4M118HA25 , 4M118HA31 , 5C024CX17 , 5C024CX41 , 5C024DX01 , 5C024JX01 , 5C037AA01 , 5C037AA04 , 5C037CC01 , 5C037CC08 , 5C037CD01 , 5C037CD05 , 5F049MA07 , 5F049MB01 , 5F049MB11 , 5F049NA01 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049NA10 , 5F049NB05

前のページに戻る