特許
J-GLOBAL ID：200903065814649369
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092017
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283825
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードにおけるレーザ発振をし易くすると共に閾値電流を下げること。【構成】 サファイア基板11上には、 AlN層12、Si ドープn型 GaN層(n層)13、Si ドープn型AlGaN層(n層)14、Si ドープn型 GaN層15、アンドープAlGaN層16、Mg ドープp型AlGaN層(p層)17及びMg ドープp型 GaN層(p層)18が順次積層され形成されている。又、上記 GaN層13及び GaN層18とにはそれぞれ金属電極13a,18aが形成されている。この構成によれば、AlGaN層17からの不純物Mg の拡散をアンドープAlGaN層16にて吸収して防止できる。これにより、本発明の半導体レーザダイオードは、不安定な高エネルギー状態が作り易くなり誘導放出を利用したレーザ発振がし易くなると共にその閾値電流を下げることができる。
請求項（抜粋）：
n型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体(AlYGa1-YN:0≦Y≦1)から成るn層と、p型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体(AlYGa1-YN:0≦Y≦1)から成るp層と、前記n層と前記p層との間にアンドープの窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-xN:0≦X≦Y≦1)から成る拡散防止層とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 27/12
, H01L 33/00
