特許

J-GLOBAL ID：200903065817728545

パターン形成方法

発明者： 伊藤 正光 ,  姜 帥現
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212160
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063925
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 描画装置を用いて形成するレジストパターンの微細化を可能にし、エッジラフネスの少ない高精度パターンを実現する。【解決手段】 描画装置を用いて形成したレジストパターンを、基板を加熱処理することにより軟化させ太らせることにより、エッジラフネスの少ない微細パターン形成を可能にし、かつ加熱処理前のレジストパターンの基板との接触角をA(rad)、加熱処理後のレジストパターンの基板との接触角をA′(rad)、レジストの膜厚をTとした時に、加熱処理前のレジストパターンに存在する最小線幅Lを、L≦{2Tsin A(A'- sinA'cosA')}/{(2sin A- Tcos A)(1- cos A')2 }の関係を満たすように設定する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレジストに所望パターンを描画し、かつオーバ露光又はオーバ現像の少なくとも一方を行うことにより、該レジストを描画パターンよりも細く形成する工程と、次いで前記レジストを加熱を含む処理により軟化させ、該レジストのパターン幅を太らせる工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

FI (3件)：

H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 569