特許
J-GLOBAL ID：200903065821746272
導体パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129303
公開番号（公開出願番号）：特開平7-336020
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【構成】 セラミックス基板11上にフォトレジスト層12を形成し、このフォトレジスト層12に導体パターン状に凹部15を形成し、この凹部15に導体ペースト16を充填し、凹部15に充填された導体ペースト16を乾燥させ、導体ペースト16中の固体成分をセラミックス基板11に接着させ、アルカリ性水溶液を用いてフォトレジスト層12を溶解、消失させ、焼成により導体ペースト16中の導体を含む成分をセラミックス基板11に焼き付ける工程を含む導体パターン17の形成方法。【効果】 従来の方法と比較して、より簡単な工程でセラミックス基板11上に精密かつ微細な導体パターン17を形成することができる。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、該フォトレジスト層に導体パターン状に凹部を形成する凹部形成工程と、該凹部に導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、前記凹部に充填された前記導体ペーストを乾燥させ、該導体ペースト中の固体成分を前記セラミックス基板に接着させる接着工程と、アルカリ性水溶液を用いて前記フォトレジスト層を溶解、消失させるフォトレジスト層消失工程と、焼成により前記導体ペースト中の固体成分を前記セラミックス基板に焼き付ける焼付工程とを含むことを特徴とする導体パターンの形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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