特許

J-GLOBAL ID：200903065827443450

半導体装置およびその製造方法

発明者： 有隅 修
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200901
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028426
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】PZTキャパシタのPZT膜(キャパシタ絶縁膜)の特性を改善すること。【解決手段】アモルファスPZT膜3を形成した後、従来法とは逆に、アモルファスPZT膜3の上面からアモルファスPZT膜3を結晶化し、PZT結晶膜5を形成する。このとき、アモルファスPZT膜3の上面に形成した酸素を過剰に含むアモルファスPZT膜4をシードに用いる。

請求項（抜粋）：

下地膜と、この下地膜上に形成され、ABO3 ペロブスカイト型酸化物誘電体からなり、膜厚方向と垂直な方向に中央部に界面を有する結晶性絶縁膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (8件)：

5F083JA01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34