特許

J-GLOBAL ID：200903065827500771

半導体装置

発明者： 日下 輝雄 ,  仙波 直治 ,  西沢 厚 ,  高橋 信明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170612
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037190
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】実装時の雰囲気による汚染や酸化を防止できる半導体装置を提供する。【構成】ICチップ1の上に形成した電極パッド2と接続して形成したバンプ7を含む表面にゲル状のシール膜8を形成してバンプ7の頭部上に薄いシール膜8を存在させるようにバンプを埋込む。実装時にはバンプ7を回路基板上の電極パッドに押し付けシール膜8を周囲に押し出しながら接合することで雰囲気に触れることなく接合できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を形成したICチップの上に形成した電極パッドと、前記電極パッドを含む表面に形成した絶縁膜と、前記絶縁膜に形成して前記電極パッドの表面を露出させた開孔部と、前記開孔部の前記電極パッドと接続して形成したバンプと、前記バンプを含む表面に形成して前記バンプの頭部上に薄い膜を有するように前記バンプを埋込んだゲル状の絶縁性シール膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-302823
  
• 特開平3-209840
  
• フリップチップバンプの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-185169   出願人：ミツミ電機株式会社