特許
J-GLOBAL ID：200903065828826182
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175571
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 基板4、該基板上に非磁性薄膜層6を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜層1,2を有して成り、非磁性薄膜層を介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっている磁気抵抗効果素子において、少なくとも1層の磁性薄膜層とそれに隣接した非磁性薄膜層との界面に、隣合う非磁性薄膜の材料とは異なる金属の薄膜3を積層したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。【効果】 抵抗変化率の高い磁気抵抗効果素子が得られる。
請求項（抜粋）：
基板、該基板上に非磁性薄膜層を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜層を有して成り、非磁性薄膜層を介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっている磁気抵抗効果素子において、少なくとも1層の磁性薄膜層とそれに隣接した非磁性薄膜層との界面に、隣合う非磁性薄膜の材料とは異なる金属の薄膜を積層したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
引用特許：
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