特許

J-GLOBAL ID：200903065830296697

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 津金 賢 ,  吉田 誠 ,  熊内 隆宏 ,  ▲高▼原 洋一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152090
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340908
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 タングステン層を含んでいる配線層の高性能化および高信頼度化ができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(基板)1の上に、タングステン層7を含んでいる配線層4を堆積する工程と、配線層4をフォトリソグラフィ技術とドライエッチングを用いた選択エッチング技術とを使用して、配線層4をパターン化する工程と、酢酸とアンモニアと水との混合液を使用して、タングステン層7の表面処理を行った後、アンモニアと過酸化水素と水との混合液を使用して、半導体基板1などの上に形成されているタングステン合金物などからなる異物を取り除くための洗浄処理を行う工程とを有するものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成されている基板の上に、タングステン層を含んでいる配線層を堆積する工程と、フォトリソグラフィ技術とドライエッチングを用いた選択エッチング技術とを使用して、前記配線層をパターン化する工程と、酢酸とアンモニアと水との混合液を使用して、前記タングステン層の表面処理を行った後、アンモニアと過酸化水素と水との混合液を使用して、前記基板の上に形成されているタングステン合金物などからなる異物を取り除くための洗浄処理を行う工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 M