特許
J-GLOBAL ID：200903065832750310
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-191020
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037311
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタの動作を安定化させる。【構成】 N型のソース領域110、N型の低不純物濃度領域112、を有する薄膜トランジスタの構成において、正の電荷をトラップする窒化珪素膜110を設ける。窒化珪素膜120には、正の電荷がトラップされるので、ソース領域110の表面と低不純物濃度領域112の表面には、電子が誘起され、N型半導体としての動作が安定する。結果として、Nチャネル型の薄膜トランジスタの動作が安定化される。
請求項（抜粋）：
N型を有するソースおよび/またはドレイン領域とチャネル形成領域との間に配置された低不純物濃度のN型領域を有し、該低不純物濃度のN型領域上にはゲイト絶縁膜が形成されており、前記ゲイト絶縁膜上には正の電荷をトラップする絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
