特許

J-GLOBAL ID：200903065837058058

埋め込み接点ソーラセルのメタライゼーション

発明者： グリーン マーティン アンドリュー ,  ベンハム スチュアート ロス ,  ホンスバーグ クリスチアーナ ビー
出願人/特許権者： ユニサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-515350
公開番号（公開出願番号）：特表平11-514498
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】本発明は、基板に形成された溝(51)の幾何学形状を利用して、溝のいくつかの領域(54)が基板の表面よりも充分に薄い付着層を有する状態で、誘電体層(27)を付着させることを可能にする。そして、誘電体層(27)を制御可能に除去することができる適切な化学(または他の)エッチング剤によって、これらの溝の中の厚さが減少した誘電体の領域(54)を早期にエッチングする。その結果、表面が誘電体物質によって保護されたままで、これらの領域でシリコン表面を露出させ、それをメタライゼーションによってめっきすることができる。場合によっては、残りの誘電体物質が反射防止被覆として働かなければならない。本発明は、埋め込み接点ソーラセルを製造するのに使用することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を加工する方法において、基板の表面に一つ以上の溝を形成する工程と、被覆が溝の中よりも表面の上で厚くなるように優先的に表面を被覆する技法により、表面に誘電体被覆を塗布する工程と、溝壁のいくらかの領域が露出するまで誘電体被覆をエッチングする工程とを含むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 31/04 H