特許

J-GLOBAL ID：200903065846602526

半導体装置の製造方法

発明者： 高木 章雄
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047124
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244161
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】均一な厚さに簡便な作業で研磨でき、半導体基板を破損することもなく、研磨終了を容易に判別できる化合物半導体基板の研磨方法を提供する。【構成】(a)化合物半導体基板の一方の主面上に複数の電極を形成し、(b)前記化合物半導体基板の一方の主面を保持板の一方の主面に密着させて固定し、(c)前記保持板の他方の主面を研磨プレートの凹部面に密着させて前記研磨プレートに固定し、(d)前記研磨プレート上に固定された前記化合物半導体基板を研磨盤上で相対的に移動させることで該化合物半導体基板の他方の主面を研磨する。

請求項（抜粋）：

(a)化合物半導体基板の一方の主面上に複数の電極を形成し、(b)前記化合物半導体基板の一方の主面を保持板の一方の主面に密着させて固定し、(c)前記保持板の他方の主面を研磨プレートの凹部面に密着させて前記研磨プレートに固定し、(d)前記研磨プレート上に固定された前記化合物半導体基板を研磨盤上で相対的に移動させることで該化合物半導体基板の他方の主面を研磨することを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812