特許
J-GLOBAL ID:200903065858759633

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹中 岑生 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-373624
公開番号(公開出願番号):特開2002-176138
出願日: 2000年12月08日
公開日(公表日): 2002年06月21日
要約:
【要約】【課題】【解決手段】 USBインターフェイスを備え接続元機器から信号供給および電圧供給を受ける接続先機器に設けられた半導体集積回路において、前記接続元機器から信号供給を受ける信号供給部1から内部回路へ信号を供給するようにするとともに、前記接続元機器から供給される供給信号と供給電圧とがショート状態のとき信号供給部1から内部回路への過電圧印加を抑制するトランスミッションゲートからなる制御要素4を設けた。
請求項(抜粋):
USBインターフェイスを備え接続元機器から信号供給および電圧供給を受ける接続先機器に設けられた半導体集積回路において、前記接続元機器から信号供給を受ける信号供給部から内部回路へ信号を供給するようにするとともに、前記接続元機器から供給される供給信号と供給電圧とがショート状態のとき前記信号供給部から内部回路への過電圧印加を抑制する制御要素を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
Fターム (4件):
5F038BB05 ,  5F038BH04 ,  5F038BH11 ,  5F038EZ20

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