特許
J-GLOBAL ID：200903065859746047
アッシング方法及びアッシング装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324166
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162173
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 アッシング方法及びアッシング装置に関し、高ドーズ量のイオン注入のマスクとして使用したことに依って、表面に変質層が生成されたレジスト膜を一つのチャンバ内でドライ・アッシング処理して除去することを可能とし、しかも、基板がダメージを受けることがなく、また、パーティクルの付着が少なく、更にまた、スルー・プットが向上できるようにする。【解決手段】 アッシング装置に於けるチャンバ21内のウエハ載置台28に表面に変質膜が生成されたレジスト膜で覆われたウエハ30を載置して低温に維持し、チャンバ21内に高周波プラズマを生成して該レジスト膜表面の変質層を除去し、次に、チャンバ21内に於いてウエハ30を高温に維持しマイクロ波プラズマを用いたダウン・フローに依ってレジスト膜を除去する。
請求項（抜粋）：
アッシング装置に於けるチャンバ内のウエハ載置台に表面に変質膜が生成されたレジスト膜で覆われたウエハを載置して低温に維持する工程と、次いで、該チャンバ内に高周波プラズマを生成して該レジスト膜表面の変質層を除去する工程と、次いで、同一チャンバ内に於いてウエハを高温に維持しマイクロ波プラズマを用いたダウン・フローに依ってレジスト膜を除去する工程とが含まれてなることを特徴とするアッシング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 H
, G03F 7/42
, H01L 21/302 C
