特許
J-GLOBAL ID：200903065864124194
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259154
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上に設けた多結晶シリコン膜の表面に不純物含有量の少ない酸化シリコン膜を下地シリコン膜の膜質に影響されずに膜厚均一性良く形成する。【構成】CVD法により堆積され不純物拡散およびパターニングされた多結晶シリコン膜4の表面に液相成長法により酸化シリコン膜6を成膜し、不活性雰囲気中でアニールする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜の表面に液相成長法により酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜を不活性ガス雰囲気中でアニールする工程とを含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 29/62
, H01L 29/788
, H01L 29/792
