特許
J-GLOBAL ID：200903065868476214
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349964
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160437
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 GaN 系の化合物半導体を用いた青色の発光ダイオードにおいて、側壁側へ漏れる光を光取り出し方向に導いて発光効率を上昇させること。【構成】 発光ダイオード10はi層5の電極形成部分を残しそのi層5側から高キャリヤ濃度n+ 層3の電極形成面までエッチングを施して光取り出し方向に沿った断面形状を上記i層5の電極7部分を上底とするメサ(台形)形状とする。そして、光取り出し方向と反対側でi層5の電極7及び高キャリヤ濃度n+ 層3の電極8部分を除いて上記i層5、上記高キャリヤ濃度n+ 層3及び上記メサ部分の表面に絶縁性反射膜9が形成される。これにより、発光ダイオード10は光取り出し方向と大きく異なる側壁側への光漏れがなくなり、即ち、絶縁性反射膜9により光の取り出し効率が上昇する。
請求項（抜粋）：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層の電極部分を残し該i層側から前記n層の電極面までエッチングを施して光取り出し方向に沿った断面形状を前記i層の電極部分を上底とするメサ(台形)形状とし、光取り出し方向と反対側で前記i層及び前記n層のそれぞれの電極部分を除いて前記i層、前記n層及び前記メサ形状部分の表面に絶縁性反射膜を形成して成ることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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