特許
J-GLOBAL ID：200903065868797851
基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法およびシステムならびにそれにより形成された素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-502620
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505046
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 2002年02月12日
要約：
【要約】機械的マイクロ構造、特にマイクロメカニカル共振器の様なマイクロメカニカル構造の共振周波数を調整し且つQ因子を増大するのに使用することができる、一括処理に適合する製造後アニーリング方法及び装置が記述されている。この技術は、マイクロメカニカル構造、又は近接するマイクロ構造(例えば、近接する抵抗器)を通して、電流を流し、これによって、電力を消費し且つマイクロ構造及び/又はその材料の特性を変化するのに十分に高いな温度に構造を加熱し、マイクロ構造の共振周波数及びQ因子に変化をもたらす。この技術は、多くのマイクロ構造の調整を同時に都合良く行うことを可能とし、且つマイクロメカニカル構造のアンカ部分を横切って電圧を単に加えることによって実施することができるので、マイクロメカニカル構造に対して、この技術は、特に有用である。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された所定のマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法で あって、前記方法は: 前記基板上に形成されたその他全てのマイクロ構造に対して実質的に影響を 与えることなく前記所定のマイクロ構造の材料特性および/またはマイクロ構 造特性を変化させるのに十分な時間にわたり前記所定のマイクロ構造のエネル ギ状態を制御可能に引き上げる工程からなることを特徴とする基板上に形成さ れた所定のマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法。
IPC (4件)：
H03H 9/24
, B81C 1/00
, H01L 21/26
, H03H 3/013
H03H 9/24 Z
, B81C 1/00
, H03H 3/013
, H01L 21/26 F
