特許

J-GLOBAL ID：200903065873528176

半導体発光装置

発明者： 大歳 創 ,  右田 雅人 ,  高井 厚志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244497
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097598
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】室温連続発振が可能な緑色や青色の光を発する半導体レーザを提供する。【構成】例えば、p-GaAsとp-ZnSeの間に、GaAsとZnSeで構成される超格子を導入する。あるいは、p-GaAsとp-ZnSeの間に、Iny(Ga1-xAlx)1-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)の中間層を導入する。【効果】本発明によれば、直列抵抗を大幅に低減できるので、緑色もしくは青色の光を発する半導体レーザの室温連続発振が可能になる。これにより高密度光ディスク用光源,緑色や青色のLEDの代替光源,高感度レーザプリンタ用光源,ディスプレイ用光源などに適用できる半導体レーザ装置が提供できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも、p型伝導型のIII -V族化合物半導体1とp型伝導型のII-VI族化合物半導体2とから成り、上記半導体1がp型電極と接触した構造において、実効的な禁制帯幅が上記半導体1と上記半導体2の間で徐々に変化するように、両者の間に超格子を設けたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00