特許

J-GLOBAL ID：200903065874893455

赤外領域で透明な基板を用いた半導体装置の製法

発明者： 岩田 拡也 ,  ポール・フォンス ,  山田 昭政 ,  松原 浩司 ,  仁木 栄 ,  中原 健
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  ローム株式会社
代理人 (2件)： 河村 洌 ,  河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256726
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075865
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 ZnO系化合物半導体の成長など、高温で処理する場合でも、その処理をする際の基板温度を正確に制御し、キャリア濃度などの諸特性が均一となるプロセスを行うことができる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】 たとえばサファイア基板からなる赤外領域で透明な基板8表面に、ZnO系化合物半導体層9をエピタキシャル成長するような高温で処理する工程を含む場合に、基板8の裏面に赤外領域で不透明な材料からなる薄膜8aを密着させて、基板8の表面側から、たとえば熱放射温度計3により、温度を測定しながら、エピタキシャル成長などの処理をすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

赤外領域で透明な基板表面に高温で処理する工程を含む半導体装置の製法であって、前記基板の裏面に赤外領域で不透明な材料からなる薄膜を密着させて前記基板の表面側から温度を測定しながら前記処理をすることを特徴とする赤外領域で透明な基板を用いた半導体装置の製法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 C

Fターム (24件)：

5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB21 ,  5F045AB22 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045GB05 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103KK10 ,  5F103NN01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-175688
  
• 特開昭61-139021
  
• 特開昭60-240119