特許

J-GLOBAL ID：200903065877704220

透明電極およびその製造方法

発明者： 真鍋 由雄 ,  棚橋 一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041601
公開番号（公開出願番号）：特開平8-234218
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 光学特性を有し、かつ低抵抗性と高い光透過性を有した透明電極およびその製造方法を提供する。【構成】 基板4上に、第1半導体透明導電薄膜層2と、第2半導体透明導電薄膜層3とが交互に積層されてなる透明電極であり、第1、第2の半導体透明導電薄膜が周期性を持たせて積層されてなる透明電極である。たとえば、スパッタ装置により、まず第1の半導体材料とそのドーパント材料をスパッタリングして第1の半導体透明導電薄膜層2を形成する。ついで、第2の半導体材料とそのドーパント材料をスパッタリングして第2の半導体透明導電薄膜層3を形成する。これらの一連の行程を繰り返し行って透明電極を得る。

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類の半導体透明導電薄膜を積層した積層薄膜であって、前記半導体透明導電薄膜の各層の光学的行路長が、選択的透過光の波長の1/2であることを特徴とする透明電極。