特許
J-GLOBAL ID：200903065889560290
半導体記憶装置とそれを搭載したシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153137
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255483
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性のFRAMで、ランダムアクセス機能を保ちつつ高集積化を実現し、さらに高速化を保ちつつリフレッシュ動作を不要とする。【解決手段】 1つのトランジスタQに1つの強誘電体キャパシタCfを並列接続してなるメモリセルを複数個直列接続してメモリブロックを構成し、該ブロックを複数個配置してセルアレイを構成したFRAMであって、メモリブロックの各々は、一端側が選択トランジスタQ0を介してビット線BLに接続され、他端側がプレート電極PLに接続されている。
請求項（抜粋）：
各種の演算処理を行うマイクロプロセッサと、このマイクロプロセッサに接続され外部機器とのデータをやり取りを行う入出力装置と、前記マイクロプロセッサに接続されデータの記憶を行う半導体記憶装置とを備えたコンピュータシステムであって、前記半導体記憶装置は、トランジスタとこのトランジスタのソース・ドレイン端子間に接続された強誘電体キャパシタとからメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個直列接続すると共に、該直列接続部の少なくとも一端に選択トランジスタを接続してメモリセルブロックを構成し、このメモリセルブロックを複数個配置してセルアレイを構成したものであることを特徴とするコンピュータシステム。
IPC (5件)：
G11C 14/00
, G06F 15/78 510
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 461
G11C 11/34 352 A
, G06F 15/78 510 A
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 461
