特許
J-GLOBAL ID：200903065891401515
薄膜キヤパシタとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223683
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047587
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 PZTに代表される強誘電体を用いたLSI用薄膜キャパシタであって、誘電体と下部電極との間で低誘電率層が形成されることのない、容量値の大きな薄膜キャパシタを提供する。【構成】 基板1上にシリコン、シリサイドあるいはシリコンを含有する導体からなる第1電極4と、酸素を含有するTaからなる第2電極6と、Pt電極5と、誘電体膜7と、上部電極9とを順次積層した構造とする。
請求項（抜粋）：
基板上にシリコン、シリサイド、あるいはシリコンを含有する導体からなる第1電極と、酸素を含有するTaからなる第2電極と、Pt電極と、誘電体膜と、上部電極とを順次積層した構造であることを特徴とする薄膜キャパシタ。
引用特許：
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