半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092834
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291298
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】製造工程を複雑化させることなく、半導体装置におけるn+層とオーミック電極との接触抵抗およびn+層自身のシート抵抗を低減させる。【構成】半導体基板の表面付近に不純物を注入する表層側注入工程と、半導体基板の表面付近より深い部位に不純物を注入する深層側注入工程とからなるイオン注入工程を含んでいる半導体装置の製造方法。前記表層側注入工程は半導体基板の表面部位における不純物濃度が半導体基板における不純物の固溶限以上になるようにその注入条件が設定されている。また前記深層側注入工程は、その不純物濃度の最高値が前記固溶限に達するようにその注入条件が設定されている。なお、表層側注入工程は半導体基板表面部位における不純物濃度が前記固溶限と同等になるようにその注入条件が設定されていることが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面付近に不純物イオンを注入する表層側注入工程と半導体基板の表面付近より深い部位に不純物イオンを注入する深層側注入工程とからなるイオン注入工程を含み、前記表層側注入工程は、半導体基板の表面部位における不純物濃度が半導体基板における不純物の固溶限以上になるようにその注入条件が設定されており、前記深層側注入工程は、その不純物濃度の最高値が前記固溶限に達するようにその注入条件が設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/80 B , H01L 21/265 W , H01L 21/265 C

前のページに戻る