特許

J-GLOBAL ID：200903065892159653

フォトマスク及びその製造方法

発明者： 安里 直生 ,  石田 伸二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095087
公開番号（公開出願番号）：特開平8-292549
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】フォトマスクのパターンの寸法精度を向上させる。【構成】透明基板1上に、膜厚70nmのルテニウムの遮光膜2と膜厚30nmの酸化ルテニウムの反射防止膜3と感光性樹脂膜4を形成したのち、電子線描画とシリル化を行ってシリル化層6を形成し、このシリル化層6をマスクとして酸素ガスにより感光性樹脂膜4と反射防止膜3と遮光膜2とをエッチングする。

請求項（抜粋）：

透明基板上に順次形成された遮光膜と反射防止膜を有するフォトマスクにおいて、前記遮光膜としてルテニウムを用い、かつ前記反射防止膜として酸化ルテニウムを用いたことを特徴とするフォトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 G ,  G03F 1/08 L ,  G03F 1/14 F ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/30 541 M