特許
J-GLOBAL ID：200903065894913991
セラミックパッケージ型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044280
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268093
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】セラミックパッケージ型半導体装置の外部リードをメタライズ層に固定するロー材の外方向へのはみ出しを防止し、測定治具の小型化および高周波特性の向上を実現することにある。【構成】ケース本体1上に半導体チップ2および第1のセラミック層6を固定し、この第1のセラミック層6上に設けられたメタライズ層5と半導体チップ2の電極3をボンディングワイヤ4で接続する。また、メタライズ層5上には第2のセラミック層7を介してキャップ10をかぶせる一方、外部リード8をAgCuロー材9により固定する。このときのメタライズ層5を第1のセラミック層6よりも短かく形成するか、外部リード8の先端を広く形成するか、もしくは第1のセラミック層6の端部に切欠きを形成して実質的な凹部を形成することにより、ロー材9のはみ出しを抑制する。
請求項（抜粋）：
上面に電極を備えた半導体チップを搭載するケース本体と、前記半導体チップを囲むようにケース本体上に配置された第1のセラミック層と、前記第1のセラミック層のケース外部方向端面よりも内側の上面に設けた第2のセラミック層と、前記第1のセラミック層上に形成され前記第1のセラミック層および前記第2のセラミック層の界面を貫通して前記ケース外部方向に向うメタライズ層と、前記半導体チップの電極および前記メタライズ層を接続するボンディングワイヤと、前記第1のセラミック層上で外部に引き出された前記メタライズ層の上にロー材で接続される外部リードと、前記第2のセラミック層上に配置され前記ケース本体の内部を含うキャップとを有し、前記外部リードと前記メタライズ層もしくは前記第1のセラミック層とで凹部を形成して前記ロー材の一部を収容することを特徴とするセラミックパッケージ型半導体装置。
IPC (2件)：
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