特許

J-GLOBAL ID：200903065901429677

キャパシタの製造方法

発明者： イジック シー.キジルヤリー ,  セーレッシュ マンシン マーチャント ,  プラディップ クマー ロイ ,  ユー-フェン ウォン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353615
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232208
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 集積回路用五酸化タンタルからなるキャパシタとその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明によれば、窒化タングステンあるいはタングステンシリコン窒化物あるいはその両方が従来のチタン窒化物バリア層に取って代わる。本発明によれば、酸素拡散の抵抗力が増し、その結果五酸化タンタルを介した電流リークが低減し、キャパシタを含む集積回路の処理での温度を200°C増加させることができる。

請求項（抜粋）：

(A)基板上に第1電極(220)を形成するステップと、前記第1電極は、窒化タングステンと珪化タングステンと窒化シリコンおよびその混合物からなるグループから選択された第1バリア層(225)とチタン層とを有し、前記第1電極は窒化チタン層を有さず、(B)前記第1電極(220)上にキャパシタ用誘電体層(230)を形成するステップと、前記キャパシタ用誘電体層は、前記第1電極(220)のチタンによる還元作用を受けるようにされ、(C)前記キャパシタ用誘電体層(230)上に導電層を含む第2電極(240)を形成するステップと、からなることを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z