半導体装置の製造方法と製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308432
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138255
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】有機不純物の影響を受けずフリップチップ接続時の加熱温度を低くする。【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法及び装置は、半導体チップの接続組立時の加熱により、電気的性能の劣化を低減するものである。半導体チップのバンプと基板をマウント接続する際、基板の接続するパッド表面あるいは半導体チップのバンプ表面を清浄ことにより、接続温度を200°C〜300°C以下で出来る。また、基板のパッド表面の活性化処理したものを維持するために、製造装置の中にプラズマ処理部を入れ、製造装置内を不活性ガスで充填することにより、プラズマ処理部で清浄されたパッド表面を大気中にさらして再汚染することなく、マウント接続が出来る。

請求項（抜粋）：

半導体チップと基板とをフリップチップ接続させた構造を有する半導体装置の製造方法において、接続前に前記基板の接続パッド上の有機系不純物をドライプロセスによるクリーニング処理によって除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/60 311 Q , H01L 21/302 N , H01L 21/92 604 Z

Fターム (15件)：

5F004AA13 , 5F004AA14 , 5F004BA20 , 5F004BB02 , 5F004DA23 , 5F004DB08 , 5F004EB02 , 5F004FA04 , 5F044KK03 , 5F044KK04 , 5F044KK11 , 5F044LL01 , 5F044LL04 , 5F044QQ03 , 5F044QQ04

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平3-171643

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