特許

J-GLOBAL ID：200903065904947741

半導体装置及びその製造方法

発明者： 北島 信夫 ,  森下 正和
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221175
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048095
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 結晶欠陥の多少により特性が左右されず、集積度の高い半導体装置を実現する。【構成】 絶縁基体上に結晶の成長起点を有し、選択的に結晶成長させた半導体基体に作製した半導体装置において、前記半導体装置の自由キャリアを、前記成長起点近傍を除き、且つ、前記結晶成長方向に沿って走行させることを特徴とした半導体装置であり、前記半導体装置が、少なくともソース、ドレイン、ゲート、チャネル部を有する絶縁ゲート型トランジスタであって、前記ゲート領域が前記成長起点をとり囲む様に配置されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基体上に結晶の成長起点を有し、選択的に結晶成長させた半導体基体に作製した半導体装置において、前記半導体装置の自由キャリアを、前記成長起点近傍を除き、且つ、前記結晶成長方向に沿って走行させることを特徴とした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12