特許
J-GLOBAL ID：200903065906191431
半導体素子材チツプの製造方法とその熱電気変換モジユール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152616
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体素子材チップの製造工程の合理化、該チップの機械的強度の補強が可能な熱電気変換モジュールの提供。【構成】 耐熱性絶縁板4の複数の孔4aにN型またはP型半導体化合物組成を持つ溶湯を加圧または減圧法にて注入し、一方向凝固させるなどして半導体素子材チップを作製する。孔4aの中にNPの熱電対を形成し、電気的に直列で、熱的に並列に配設する。半導体素子固定基板3の小穴に半導体素子チップを圧入して半導体素子固定部を準備し、電極絶縁基板にレジスト印刷法により電極を固定して高熱源側電極固定部と低熱源側電極固定部とを準備し、半導体素子固定部を真ん中にして高熱電源側電極固定部と低熱電源側電極固定部とをP型およびN型半導体素子チップが対をなしかつそれらが電気的に直列に結合するように重ね合わせる。
請求項（抜粋）：
複数の孔をもつ耐熱性絶縁板の夫々異なる前記孔の中に、N型またはP型の半導体化合物組成を持つ溶湯を、加圧または減圧法によって注入し凝固させることを特徴とする半導体素子材チップの製造方法。
IPC (2件)：
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