特許

J-GLOBAL ID：200903065906836378

多孔質シリコン構造体の製造方法および金属担持多孔質シリコンの製造方法

発明者： 早瀬 仁則 ,  川瀬 貴彦 ,  初澤 毅
出願人/特許権者： 財団法人理工学振興会
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097505
公開番号（公開出願番号）：特開2005-105409
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 シリコン基体を陽極酸化して前記シリコン基体の表面側から背面側まで貫通する多孔質シリコン層を有する多孔質シリコン構造体を製造でき、また、その多孔質シリコンの孔内部にまで金属の析出を促進させ、さらに析出する金属の分布を制御して多孔質シリコンの表層から数μm程度の深さまで、従来よりも大量の金属を析出させて、金属担持多孔質シリコンを得ることができる。【解決手段】 シリコン基体の背面側を酸化保護膜で被覆した後、陽極酸化する工程を含む多孔質シリコン構造体の製造方法、およびその多孔質シリコン構造体に、フッ素イオンを200mmol/dm3以下含む金属めっき液を用いて、無電解めっきと電解めっきを行って金属持多孔質シリコンを製造する方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

シリコン基体を陽極酸化して前記シリコン基体の表面側から背面側まで貫通する多孔質シリコン層を有する多孔質シリコン構造体を製造する方法であって、前記シリコン基体の背面側を酸化保護膜で被覆した後、フッ素イオン濃度0.5mol/dm3〜30mol/dm3の陽極酸化液を用いてシリコン基体を陽極酸化する工程を含む多孔質シリコン構造体の製造方法。

IPC (6件)：

C25F3/12 ,  B82B3/00 ,  C23C18/16 ,  C25D7/12 ,  C25D11/32 ,  H01M4/86

FI (6件)：

C25F3/12 ,  B82B3/00 ,  C23C18/16 B ,  C25D7/12 ,  C25D11/32 ,  H01M4/86 B

Fターム (37件)：

4K022AA05 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA17 ,  4K022BA18 ,  4K022BA21 ,  4K022BA31 ,  4K022DA03 ,  4K022EA04 ,  4K024AA07 ,  4K024AA08 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB17 ,  4K024BA11 ,  4K024BB28 ,  4K024BC07 ,  4K024CA02 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CB07 ,  4K024CB12 ,  5H018AA06 ,  5H018BB07 ,  5H018BB12 ,  5H018CC06 ,  5H018DD08 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018HH00 ,  5H018HH05 ,  5H018HH08