特許
J-GLOBAL ID：200903065911014475
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-233211
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070119
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のアルミニウムを損傷する水を放出したり吸湿性の少ない層間絶縁膜またはパッシベーション膜を形成する方法を提供しようとするものである。【構成】 一般式が、【化1】で示される環状または鎖状のポリシロキサン化合物を原料とし、シリコン基板の上にスピンコートした後、酸素を含む窒素雰囲気中で熱硬化するかまたは熱分解を行って吸湿性がなく、平坦性が良く、半導体装置の層間絶縁膜またはパッシベーション膜として有効に使用することができるSiO2膜を形成する。
請求項（抜粋）：
多層配線を有する半導体装置を製造するに当たり、一般式が【化1】で表される鎖状または環状のポリシロキサン化合物を原料とし、これを熱硬化または熱分解して酸化シリコンより成る層間絶縁膜またはパッシベーション膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 33/12
, H01L 21/316
, H01L 21/90
