特許

J-GLOBAL ID：200903065913228782

露光装置および露光方法

発明者： 野浜 祥二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072403
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270320
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程における半導体ウェハ内のフォトレジストのパターン寸法ばらつきを低減できる露光装置および露光方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハの各半導体装置(チップ)ごとに露光量を設定できる露光量設定装置を設けた投影露光装置により、半導体装置を作製する半導体ウェハ16上のフォトレジストを露光する際、事前に、一定露光量でフォトレジストを露光した時のフォトレジストのパターン寸法分布調査結果を基にし、パターン寸法ばらつきを低減するための、同一所定露光量とする三つの露光領域A、B、Cを決め、各露光領域A、B、Cでのパターン寸法が基準パターン寸法となる露光量E0 、E1 、E2 を求めておき、この露光領域A、B、Cおよび露光量E0 、E1 、E2 を露光量設定装置に入力して、半導体ウェハ16内の各チップの露光を行う。

請求項（抜粋）：

フォトレジストの塗布された被処理基板を所定領域ごとに順次露光する露光装置において、前記所定領域ごとの前記フォトレジストの露光量を、前記所定領域ごとに設定できる露光量設定装置を設けたことを特徴とする露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 516 D ,  G03F 7/20 521