特許

J-GLOBAL ID：200903065914014778

強誘電体薄膜の製造方法及び強誘電体メモリ素子

発明者： 冨沢 真帆 ,  木島 健 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275110
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097630
出願日： 1997年09月22日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 成膜温度の低温化、薄膜化を可能となるBi系層状構造化合物からなる強誘電体薄膜の製造方法及び強誘電体メモリ素子を提供する。【解決手段】 基板上に強誘電体薄膜を形成するに際して、前記基板上に酸化チタン薄膜及び酸化ビスマス薄膜を順次形成し、該酸化ビスマス薄膜上に、Bi2Am-1BmO3m+3(式中、AはNa、K、Pb、Ca、Sr、Ba又はBi、BはFe、Ti、Nb、Ta、W又はMoの中から選択される少なくとも一種類の元素、mは自然数)で表されるBi系層状化合物からなる強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に強誘電体薄膜を形成するに際して、前記基板上に酸化チタン薄膜及び酸化ビスマス薄膜を順次形成し、該酸化ビスマス薄膜上に、Bi2Am-1BmO3m+3(式中、AはNa、K、Pb、Ca、Sr、Ba又はBi、BはFe、Ti、Nb、Ta、W又はMoの中から選択される少なくとも一種類の元素、mは自然数)で表されるBi系層状化合物からなる強誘電体薄膜を形成することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371