半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-040030
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243703
出願日： 2002年02月18日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、活性層への電流注入効率、および、発光効率が高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板101上に、GaNバッファ層102、ノンドープGaN層103、n型GaNコンタクト層104、n型AlGaN下クラッド層105、多重量子井戸発光層106、p型AlGaN上クラッド層107およびp型GaN電流拡散層108が順次積層されている。p型AlGaN上クラッド層107とp型GaN電流拡散層108との間には、エピタキシャル成長されたLiGaO2からなる島状の電流阻止層109を設けている。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛系またはIII族窒化物系半導体より成る半導体層を備えた半導体発光素子において、上記半導体層に、エピタキシャル成長された酸化物絶縁体を含む電流狭窄機構が設けられたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , H01S 5/183 , H01S 5/227 , H01S 5/323 610 , H01S 5/327

FI (6件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 D , H01S 5/183 , H01S 5/227 , H01S 5/323 610 , H01S 5/327

Fターム (23件)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CA22 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB11 , 5F073DA05 , 5F073DA06

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