特許
J-GLOBAL ID:200903065917879524
表面加工装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
雨宮 正季
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-119473
公開番号(公開出願番号):特開2002-015990
出願日: 2001年04月18日
公開日(公表日): 2002年01月18日
要約:
【要約】【課題】電子放出を高効率で行う事が可能な表面加工装置を提供する。【解決手段】プローブ11あるいは少なくともプローブ針状部分111の表面にAlxByGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,ただし0≦x+y≦1)あるいはAl、Si、Nを含む窒化物半導体が設けられている。【効果】上述の窒化物半導体がプローブに設けられており、この物質の電子放出に必要な電界はWの約100分の1であり、かつ電流値も従来の技術の100倍なので極めて短時間にウエファー全面を描画することができるという利点がある。また、本発明による第一及び第三の表面加工装置によれば、前記プローブが平面状で、複数のアノードを有しているため基板の所望領域を効率的に加工することが可能で、かつ基板を移動させるための微動装置が必要ないという利点もある。
請求項(抜粋):
AlxByGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,ただし0≦x+y≦1)材よりなる平面状のプローブと、このプローブと離間し、かつ対向する位置にこのプローブと平行に設けられた表面加工すべき基板と、このプローブと基板間にそれぞれに離間して設けられたアノードと、このプローブに負の電圧を、アノードに正の電圧を印加する手段とを有し、前記アノードは前記プローブおよび基板に対して平行に、かつ相互に間隔を有して複数設けられており、前記基板面の露光したい領域に対応する位置のアノードに選択的に電圧を印加可能にしたことを特徴とする表面加工装置。
IPC (4件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, H01J 1/30
, H01J 37/305
FI (5件):
G03F 7/20 504
, H01J 37/305 B
, H01L 21/30 541 W
, H01J 1/30 C
, H01L 21/30 541 B
Fターム (15件):
2H097AA07
, 2H097CA16
, 2H097GB04
, 2H097LA10
, 5C034BB01
, 5C035AA20
, 5C035BB03
, 5F056AA07
, 5F056AA33
, 5F056CB03
, 5F056CB05
, 5F056CB15
, 5F056EA02
, 5F056EA03
, 5F056EA14
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