特許

J-GLOBAL ID：200903065924358971

パターン膜の修正方法

発明者： 杉原 和佳 ,  中村 裕子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237877
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063944
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 低ドーズイメージングで必要な基板の透過率を確保しながら、修正すべき箇所に対する化合物膜のプロファイル又は余剰部の除去プロファイルもシャープにして修正精度も合わせて確保できる。【解決手段】 LSIパターンの薄膜が形成されたマスク面のパターン欠陥を修正するパターン膜の修正方法において、マスク面上に低ドーズで集束イオンビームを走査して修正すべきパターン欠落部24を含むパターンをイメージングした後、確認された修正すべきパターン欠落部24に高ドーズで集束イオンビーム25を打ち込み、次いでイオン打ち込み領域28に化合物蒸気30を吹き付けると共に集束イオンビーム25を照射して化合物膜29を堆積させる。

請求項（抜粋）：

所定パターンの薄膜が形成された試料面のパターン欠陥を修正するパターン膜の修正方法において、前記試料面上に集束イオンビームを走査して修正すべき微小部を含むパターンをイメージングする第1の工程と、第1の工程によって確認された修正すべき微小部に集束イオンビームを打ち込む第2の工程と、第2の工程によって形成されたイオン打ち込み領域を少なくとも含む領域に化合物蒸気を吹き付けて微細加工する第3の工程とを含むことを特徴とするパターン膜の修正方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/205