特許

J-GLOBAL ID：200903065926419994

高密度ITO焼結体及びその製造方法

発明者： 高梨 昌二 ,  岸 俊人 ,  名手 達夫 ,  嘉瀬 博光 ,  石川 俊治 ,  戸張 健二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  株式会社湘南電子材料研究所
代理人 (1件)： 中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200251
公開番号（公開出願番号）：特開平6-024826
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年02月01日
要約：

【要約】【目的】 基板温度が200°C以下の低温であっても、比抵抗値が2.0×10-4Ω・cm以下の低抵抗な透明導電膜を形成でき、成膜中における異常放電が少なく、長時間に亙るスパッタリングを行った場合にも、安定に良質な透明導電膜を形成できる高密度ITO焼結体を提供する。【構成】 実質的にインジウム、錫及び酸素からなり、相対密度が90%以上のITO焼結体であって、酸化錫相の(110)面のX線回折ピークの積分強度が、酸化インジウム相の(222)面のX線回折ピークの積分強度の0.5%以下で、電子線マイクロアナライザーの線分析における錫含有量の分布が化学分析による錫含有量の0.8〜1.2倍の範囲にあることを特徴とする高密度ITO焼結体。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、錫及び酸素からなり、相対密度が90%以上のITO焼結体であって、酸化錫相の(110)面のX線回折ピークの積分強度が、酸化インジウム相の(222)面のX線回折ピークの積分強度の0.5%以下で、電子線マイクロアナライザーの線分析における錫含有量の分布が化学分析による錫含有量の0.8〜1.2倍の範囲にあることを特徴とする高密度ITO焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  H01B 5/14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-160047