特許

J-GLOBAL ID：200903065927907593

逆テーパ形レジストパターンの形成方法

発明者： 萩 敏夫
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162783
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 化学的安定性、線幅制御性、工程管理と取扱いの容易性の点で優れた逆テーパ形レジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 基板11の上面にナフトキノンジアジド・ノボラック系ポジ型フォトレジスト12を塗布する。このとき、当該フォトレジスト12の膜厚tが、そのスイングカーブの山部から谷部に至る傾斜部の膜厚となるように、フォトレジスト12の膜厚を管理する。ついで、フォトレジスト12にマスク13を対向させ、マスク13の開口13aを通してフォトレジスト12に紫外線を照射し、フォトレジスト12を所定パターンに露光させる。この後、フォトレジスト12を現像すると、露光領域12aだけが溶解し、逆テーパー型のレジストパターン14が得られる。

請求項（抜粋）：

レジスト膜厚とレジストパターン線幅との関係を測定することによって得られたナフトキノンジアジド・ノボラック系ポジ型フォトレジストのスイングカーブにおいてレジスト膜厚が増加方向に変化するときに山部から谷部に至る傾斜部の膜厚で前記フォトレジストを塗布した後、当該フォトレジストを露光及び現像することを特徴とする逆テーパ形レジストパターンの形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/26 513 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/26 513 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/28 D ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 514 C

Fターム (21件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025BJ00 ,  2H025EA04 ,  2H025FA44 ,  2H096AA27 ,  2H096BA10 ,  2H096CA12 ,  2H096EA11 ,  2H096HA28 ,  4M104DD62 ,  4M104DD68 ,  4M104GG20 ,  5F046BA10 ,  5F046DA14