特許

J-GLOBAL ID：200903065928274713

半導体パッケージのキャビテイ封止体とその製造方法

発明者： 宮澤 弘明 ,  宮本 隆春
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松田 宗久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356076
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176971
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 Pb-Sn系はんだ枠が、該枠の組成物のPb-Sn系はんだが変質されずに、Niめっき層で覆われたキャップ表面に仮接合されてなる半導体パッケージのキャビテイ封止体を得る。【解決手段】 Niめっき層で覆われたキャップ40表面にPb-Sn系はんだ枠60を搭載したものを、ヒータブロック上に搭載する。そして、ヒータブロックにより、キャップ40及びはんだ枠60を、該枠の組成物のPb-Sn系はんだの固相点より低い温度であって、Pb-Sn系はんだが軟化する温度に加熱する。そして、その固相点より低い温度に加熱されたはんだ枠60を、Niめっき層で覆われたキャップ40表面に、500〜600g/mm2 の圧力で押接させる。そして、そのはんだ枠60をNiめっき層で覆われたキャップ40表面に熱圧着する。

請求項（抜粋）：

Niめっき層で覆われた封止体本体表面の半導体パッケージのキャビテイ周囲の接合面に接合する部分に、Pb-Sn系はんだ枠が仮接合されてなるキャビテイ封止体であって、前記はんだ枠が、該枠の組成物のPb-Sn系はんだの固相点より低い温度であって、前記Pb-Sn系はんだが軟化する温度に加熱されて、前記封止体本体表面に熱圧着されてなることを特徴する半導体パッケージのキャビテイ封止体。