特許
J-GLOBAL ID：200903065935443628

半導体力学量センサ及びその製造方法

発明者：
大塚 義則

大塚 義則 について

, 
竹内 幸裕

竹内 幸裕 について

, 
服部 正

服部 正 について


出願人/特許権者：
日本電装株式会社

日本電装株式会社 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092740
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111535
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 特性劣化を回避できるMISFET型力学量センサ及びその製造方法を提供することにある。【構成】 P型シリコン基板1の上面にはシリコン酸化膜2,3、シリコン窒化膜4が形成され、シリコン窒化膜4の上方に所定の間隔を隔てて薄膜よりなる可動部5が配置され、可動部5の一部に可動ゲート電極部を有し、加速度により変位する。P型シリコン基板1には不純物拡散層よりなる固定電極(ソース・ドレイン部)が形成され、加速度による可動ゲート電極部との相対的位置の変化により、流れる電流が変化する。可動ゲート電極部以外の可動部5の下面には、可動範囲制限用突起17が設けられ、P型シリコン基板1と可動ゲート電極部との間の間隔よりも狭い間隔を形成している。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置され、その一部に可動ゲート電極部を有し、力学量の作用に伴って変位する梁構造の可動部と、前記半導体基板に不純物拡散層を形成することで構成され、前記力学量の作用による前記可動ゲート電極部との相対的位置の変化により、流れる電流が変化するソース・ドレイン部と、前記半導体基板と前記可動部との間に設けられ、前記半導体基板と前記可動ゲート電極部との間の間隔よりも狭い間隔を形成するための可動範囲制限部とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/08 ,  G01P 15/12
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM