特許

J-GLOBAL ID：200903065939902287

LED照明光源およびLED照明装置

発明者： 西本 恵司 ,  谷本 憲保 ,  清水 正則 ,  永井 秀男 ,  斎藤 毅
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-519279
公開番号（公開出願番号）：特表2007-528588
出願日： 2004年09月07日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】従来に比べてLEDベアチップの熱劣化を防止し、発光効率を向上させることで、優れた性能を有するLEDモジュール等のLED照明用光源と、これを光源に利用したLED照明装置を提供する。【解決手段】 LEDベアチップ2において、p電極405に設けられた金バンプG1、G2の総面積(接合面積)が、その表面が金属であるp電極405と実装パターン201Bの間で、p型半導体層404および活性層403に略等しいp電極405の面積の20%以上になるように設定する。 この金バンプG1、G2の直径の設定によって基板10の熱抵抗を3.0°C/W以下に設定し、ヒートシンクと熱的密着させることで、LEDベアチップ温度を80°C以内に抑制する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

第一の主面に配線パターンが施された実装基板と、異なった導電型を含む2つの半導体層の間に活性層が介設され且つこのうち第一の半導体層に当該半導体層と略等しい面積の金属電極が積層されたLEDベアチップを複数個備え、前記各LEDベアチップが前記配線パターンに対して、前記金属電極においてフリップチップ実装により接合されてなるLED照明光源であって、 前記金属電極と前記配線パターンとの接合面積が、前記金属電極の面積の20%以上であり、 且つ、LEDベアチップの活性層から実装基板の第二の主面である裏面までの熱抵抗が、3.0°C/W以下に設定されている ことを特徴とするLED照明光源。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  F21V 29/00 ,  F21S 2/00 ,  F21V 19/00

FI (5件)：

H01L33/00 N ,  F21V29/00 A ,  F21S5/00 E ,  F21V19/00 P ,  F21S5/00 G

Fターム (35件)：

3K013AA03 ,  3K013AA07 ,  3K013BA01 ,  3K013CA02 ,  3K013EA03 ,  3K014AA01 ,  3K014LA01 ,  3K014LB04 ,  3K243MA03 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041DC03 ,  5F041DC26 ,  5F041DC64 ,  5F041DC67 ,  5F041DC77 ,  5F041DC78 ,  5F041DC82 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• LED照明装置およびカード型LED照明光源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231765   出願人：松下電器産業株式会社