半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109958
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303249
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】半導体ペレットと配線基板とを接着する樹脂にクラックを生じるとバンプ電極とパッド電極の圧接力が低下して電気的接続が損なわれる。【解決手段】一主面の周縁に沿って多数のバンプ電極3を形成した半導体ペレット1と前記バンプ電極3と対応する位置にパッド電極6を形成した配線基板4とを対向させ、前記バンプ電極3とパッド電極6とを重合させて電気的に接続し、半導体ペレット1と配線基板4の対向面間を樹脂7にて接着した半導体装置において、前記半導体ペレット1及び配線基板4のそれぞれのコーナ部に位置するバンプ電極17及びパッド電極18の径を他の領域に位置するバンプ電極3及びパッド電極6の径より大きくし、半導体ペレット1と配線基板4とを接着する樹脂7を径大電極17の外方領域まで延在させたことを特徴とする半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

一主面の周縁に沿って多数のバンプ電極を形成した半導体ペレットと前記バンプ電極と対応する位置にパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、前記バンプ電極とパッド電極とを重合させて電気的に接続し、半導体ペレットと配線基板の対向面間を樹脂にて接着した半導体装置において、前記半導体ペレット及び配線基板のそれぞれのコーナ部に位置するバンプ電極及びパッド電極の径を他の領域に位置するバンプ電極及びパッド電極の径より大きくし、半導体ペレットと配線基板とを接着する樹脂を径大電極の外方領域まで延在させたことを特徴とする半導体装置を提供する。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 602 Q

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