特許

J-GLOBAL ID：200903065943966150

半導体レーザの端面コーティング膜の形成方法

発明者： 大澤 和宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201073
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038199
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体レ-ザチップの端面コ-ティング膜の形成方法において、該コ-ティング膜厚の均一化を図り、かつ、チップ電極面へのコ-ティング膜付着防止並びにコ-ティング膜形成作業の向上を図ること。【構成】 半導体レ-ザチップ11をバ-状に連なったヒ-トシンク12に各々固着した後、このヒ-トシンクバ-12を複数個重ねた状態で、チップ端面13にコ-ティング膜を形成する。【効果】 本発明によれば、チップ端面13を均一に突出することが可能となるため、コ-ティング膜厚を均一に形成することができ、また、ヒ-トシンクバ-12に既に半導体レ-ザチップ11が固定されているため、取扱いが容易となり、作業性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体レ-ザチップをヒ-トシンクバーに各々固着し、該ヒ-トシンクバ-のチップ端面を揃えて複数個重ねた状態で該チップ端面にコ-ティング膜を形成することを特徴とする半導体レ-ザの端面コ-ティング膜の形成方法。