特許

J-GLOBAL ID：200903065950358793

薄膜トランジスタの水素化方法

発明者： ダラム パル ゴサイン ,  ジョナサン ウェストウォーター ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180734
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032077
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、水素化によってTFTの多結晶シリコン層内の欠陥の完全な消滅を図って、電流-電圧特性を向上させる。【構成】 第1工程で、水素プラズマドーピング法によって、TFT1の多結晶シリコン層16内に水素をドーピングして、その多結晶シリコン層16内の大部分の欠陥を消滅させる。その後第2工程で、多結晶シリコン層16上または多結晶シリコン層16上のストッパ層17上に水素を含む非晶質窒化シリコン膜23を形成した後、アニール処理によって、水素を含む非晶質窒化シリコン膜23中から水素を放出させ、この放出した水素を多結晶シリコン層16内に拡散して多結晶シリコン層16内の残りの欠陥を消滅させる。

請求項（抜粋）：

水素プラズマドーピング法によって、薄膜トランジスタの多結晶シリコン層内に水素をドーピングして、該多結晶シリコン層内の大部分の欠陥を消滅させる第1工程と、前記多結晶シリコン層上に設けた酸化シリコンからなるストッパ層上または前記多結晶シリコン層上に水素を含む非晶質窒化シリコン膜を堆積した後、アニール処理によって、前記水素を含む非晶質窒化シリコン膜中から水素を放出させ、放出した水素を前記多結晶シリコン層内に拡散して該多結晶シリコン層内の残りの欠陥を消滅させる第2工程とからなることを特徴とする薄膜トランジスタの水素化方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-046069