特許

J-GLOBAL ID：200903065952941216

局所アニール方法、半導体素子の製造方法、半導体素子

発明者： 山田 浩幸 ,  関 昇平
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026391
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 不純物導入工程と前記不純物の活性化のための第1のアニール工程とを含む製造方法により製造される半導体素子の局所を、製造工程終了後でも簡易にアニールできるようにする。【解決手段】 電界効果トランジスタを製造する場合、ゲート電極として、耐熱性材料からなり通電用の端子を有したゲート電極35を形成する。ゲート電極35に通電してゲート電極35を発熱させる。この熱により、電界効果トランジスタのチャネル領域(不純物導入領域33)をアニールする。

請求項（抜粋）：

不純物導入工程と前記不純物の活性化のための第1のアニール工程とを含む製造方法により製造される半導体素子の局所を、前記第1のアニール工程の後に別途にアニールする、局所アニール方法において、前記半導体素子の製造工程中に、前記局所上に、直接または絶縁膜を介して耐熱性材料からなる配線を形成し、前記局所アニールは、前記配線に通電して前記局所に所望のアニール効果を与える程度に前記配線を発熱させて行なうことを特徴とする局所アニール方法。

IPC (6件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/326 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 21/265 602 Z ,  H01L 21/324 J ,  H01L 21/326 ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/80 F