特許

J-GLOBAL ID：200903065954455548

水素吸蔵積層構造体

発明者： 藤井 博信 ,  折茂 慎一 ,  樋口 浩一 ,  問山 清和 ,  梶岡 秀 ,  本多 正英 ,  山本 研一 ,  高藤 勝 ,  住田 弘祐 ,  谷岡 真一
出願人/特許権者： 広島大学長 ,  広島県 ,  マツダ株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-298091
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105576
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】 高い水素吸蔵量を保持しながらも水素放出温度が低い水素吸蔵積層構造体を提供する。【解決手段】 水素吸蔵積層構造体1を、ナノ構造化されたMg又はMg系水素吸蔵合金から成る水素吸蔵層2と、その水素吸蔵層2を挟むようにその両表面に積層され、各々、水素ガスを原子状に解離させ得る触媒作用を発現し且つ解離した水素原子を内部拡散させて水素吸蔵層2と水素原子を授受する一対の水素授受層3,3とを備えたものとする。

請求項（抜粋）：

ナノ構造化されたMg又はMg系水素吸蔵合金から成る水素吸蔵層と、上記水素吸蔵層を挟むようにその両表面に積層され、各々、水素ガスを原子状に解離させ得る触媒作用を発現し且つ解離した水素原子を内部拡散させて該水素吸蔵層と水素原子の授受を行う一対の水素授受層と、を備えたことを特徴とする水素吸蔵積層構造体。

IPC (5件)：

C22C 23/00 ,  B32B 15/01 ,  C01B 3/00 ,  C23C 14/14 ,  H01M 4/38

FI (5件)：

C22C 23/00 ,  B32B 15/01 E ,  C01B 3/00 B ,  C23C 14/14 D ,  H01M 4/38 A

Fターム (40件)：

4F100AB09A ,  4F100AB24B ,  4F100AB24C ,  4F100AB31A ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA06 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100JA11A ,  4F100JD14A ,  4F100JD16 ,  4F100JD20B ,  4F100JD20C ,  4F100JL08B ,  4F100JL08C ,  4F100JM02A ,  4F100JN01 ,  4F100YY00A ,  4G040AA33 ,  4G040AA34 ,  4G040AA36 ,  4G040AA46 ,  4G140AA33 ,  4G140AA34 ,  4G140AA36 ,  4G140AA46 ,  4K029AA09 ,  4K029BA02 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  5H050CB16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-129960
  
• 特開平1-188401