特許
J-GLOBAL ID：200903065956826500
位相シフトレチクル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252406
公開番号（公開出願番号）：特開平8-123007
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程、特に回路パターンなどを転写するリソグラフィー工程に利用するハーフトーン型の位相シフトレチクルに関し、レチクルアライメント信号を十分なコントラストで得ることができる位相シフトレチクルを提供する。【構成】 透明なレチクル乾板10と、レチクル乾板10上に形成され、入射光の光強度と位相を変化する半透過膜16からなるレチクルアライメントマーク14と、レチクルアライメントマーク14上に形成され、高い反射率を有する材料からなる高反射膜18とを有する。
請求項（抜粋）：
透明なレチクル乾板と、前記レチクル乾板上に形成され、入射光の光強度と位相を変化する半透過膜からなるレチクルアライメントマークと、前記レチクルアライメントマーク上に形成され、高い反射率を有する材料からなる高反射膜とを有することを特徴とする位相シフトレチクル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
