特許

J-GLOBAL ID：200903065957227309

半導体装置及びその制御方法、その製造方法

発明者： 天羽生 淳 ,  久保 俊次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364919
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168734
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 小型で、非導通と導通との切換作業が比較的容易で、比較的簡易な方法で製造できて、信頼性が高いアンチヒューズを備えた半導体装置及びその制御方法、その製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜106a、106bを有するアンチヒューズA1、A2と、絶縁膜106a、106bを絶縁破壊し導通状態とする絶縁破壊回路に設けられる絶縁破壊回路用トランジスタCとを備えた半導体装置であって、アンチヒューズA1、A2の絶縁膜106a、106bは、絶縁破壊回路用トランジスタCのゲート絶縁膜107と同一の材料からなるとともに、ゲート絶縁膜107の膜厚よりも薄く形成された。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を有するアンチヒューズと、前記絶縁膜を絶縁破壊し導通状態とする絶縁破壊回路に設けられる絶縁破壊回路用トランジスタとを備えた半導体装置であって、前記アンチヒューズの前記絶縁膜は、前記絶縁破壊回路用トランジスタのゲート絶縁膜と同一の材料からなるとともに、前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも薄く形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/82 F ,  H01L 21/90 J

Fターム (51件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG19 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV11 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F064FF02 ,  5F064FF28 ,  5F064FF46 ,  5F064GG10