特許

J-GLOBAL ID：200903065957452868

プラズマ処理方法および装置

発明者： 加治 哲徳 ,  吉岡 健 ,  小藤 直行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177086
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027399
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】微細パターンの形状制御性の改善や深溝/深穴におけるエッチレート低下の改善等を行う。【構成】試料1に加わる電圧の直流分を検知し、該検知された信号と設定信号との差信号により、パルス電源3 ́のパルス幅、パルス周期もしくはパルス振幅のうち少なくとも一つを変化させ、該パルス電源3 ́の出力を容量素子4を経由して試料1に印加し、プラズマ処理中の試料1に加わる電圧の直流分を所定値に制御して電子やイオンを加速する電圧を一定にする。【効果】電子やイオンを加速する電圧が一定となるように制御するので、加速電子による溝底/穴底での電荷の中和や、加速イオンによるエッチングレートが常に安定して得られる。

請求項（抜粋）：

減圧下でガスをプラズマ化し、該プラズマを用いて処理室内に配置した試料を処理するプラズマ処理方法において、前記試料に加わる電圧の直流分を検知し、該検知された信号と設定信号との差信号により、電子加速のためのパルス電源のパルス幅、パルス周期もしくはパルス振幅のうちの少なくとも1つを変化させ、該パルス電源の出力を容量素子を経由して試料に印加し、プラズマ処理中の前記試料に加わる電圧の直流分を所定値に制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H05H 1/46 R ,  H05H 1/46 L ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B